国家知识产权局信息显示,英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“半导体模块装置”的专利,公开号CN121532025A,申请日期为2025年8月。
专利摘要显示,公开了一种半导体模块装置,包括:第一衬底,包括电介质绝缘层和布置在电介质绝缘层的表面上的第一金属化层,其中,第一金属化层包括第一部分、第二部分、第三部分和第四部分;两个或更多个可控半导体元件,每个可控半导体元件包括第一接触焊盘、第二接触焊盘和第三接触焊盘;其中:两个或更多个可控半导体元件的第二接触焊盘电耦合到第一部分,两个或更多个可控半导体元件中的每一个的第一接触焊盘通过一个或多个电连接元件电耦合到第二部分,两个或更多个可控半导体元件中的每一个的第三接触焊盘通过一个或多个电连接元件电耦合到第三部分,并且两个或更多个可控半导体元件中的每一个的第一接触焊盘通过一个或多个电连接元件电耦合到第四部分。
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来源:市场资讯