中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，有利于保障半导体结构的工作性能_芯片

中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，有利于保障半导体结构的工作性能

创始人

2026-02-14 15:42:19

0次

国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121510581A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底；浮栅结构，位于基底上；介质层，覆盖浮栅结构的顶部和侧壁；补偿侧墙，覆盖浮栅结构两侧底角位置处的介质层侧壁；字线栅结构，分别位于浮栅结构两侧的基底上，字线栅结构分别覆盖浮栅结构侧壁的介质层和补偿侧墙、以及延伸覆盖浮栅结构部分顶部的介质层。本发明有利于减小半导体结构的工作风险，进而有利于保障半导体结构的工作性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可447个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法字线投资中芯国际保障介质导体结构专利侧壁半导体浮栅中芯介质层

上一篇：人为策划“自问自答”，称涉足脑机接口芯片！英集芯被证监会立案调查

下一篇：东方晶源取得光阑调节装置及半导体检测设备专利，调节精度高

中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，有利于保障半导体结构的工作性能

相关内容

热门资讯