虹安微电子取得半导体功率器件专利，可提高反向恢复速度_芯片

虹安微电子取得半导体功率器件专利，可提高反向恢复速度

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2026-01-17 18:36:51

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国家知识产权局信息显示，湖南虹安微电子有限责任公司取得一项名为“半导体功率器件”的专利，授权公告号CN223810083U，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本实用新型实施例提供一种半导体功率器件，包括：衬底、外延层、栅电极、栅氧化物层、肖特基金属。外延层包括：阱区，设置在沟槽的一侧；源区，设置在阱区朝向外延层的顶表面一侧；第一屏蔽区，位于源区和阱区远离沟槽的一侧；第二屏蔽区，位于沟槽远离源区和阱区的一侧；第三屏蔽区，位于第二屏蔽区远离源区和阱区的一侧；第一、第二和第三屏蔽区相互间隔设置；外延层还包括位于第二屏蔽区和第三屏蔽区之间的第一子区；肖特基金属设置在外延层的顶表面上且分别与第二、第三屏蔽区和第一子区连接，且与栅电极绝缘设置。本实用新型实施例可以对栅氧化物层起到保护、提高器件可靠性，且可提高反向恢复速度，降低开关损耗。

天眼查资料显示，湖南虹安微电子有限责任公司，成立于2023年，位于长沙市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南虹安微电子有限责任公司共对外投资了1家企业，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示功率投资沟槽器件外延导体微电子专利第三屏蔽区源区肖特基外延层阱区

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