三安半导体取得晶体生长装置专利提升碳化硅晶体产能
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2026-01-13 15:38:01
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国家知识产权局信息显示，湖南三安半导体有限责任公司取得一项名为“晶体生长装置”的专利，授权公告号CN115821372B，申请日期为2022年11月。
该专利涉及一种晶体生长装置，属于晶体制备技术领域。装置主要包括坩埚体、坩埚盖、分隔件以及加热件。坩埚体由坩埚底壁和坩埚侧壁围合形成腔室。坩埚盖盖设在坩埚侧壁上，其朝向坩埚底壁的一侧用于设置第一籽晶。分隔件设置于腔室内，其朝向坩埚底壁的一侧用于设置第二籽晶，朝向坩埚盖的一侧用于承载第一碳化硅粉料，而坩埚底壁则用于承载第二碳化硅粉料。加热件设置在坩埚侧壁的外周，其作用是使第一和第二碳化硅粉料升华，并驱动升华后的生长气氛运动至第一籽晶和第二籽晶处进行结晶。通过这种设计，该装置能够在一个生长周期内同时生长出至少两颗碳化硅晶体，从而有效提升了生产效率与产能。
天眼查资料显示，湖南三安半导体有限责任公司，成立于2020年，位于长沙市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南三安半导体有限责任公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目63次，专利信息428条，此外企业还拥有行政许可146个。
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来源：市场资讯
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