三安半导体申请发光二极管封装体及发光装置专利，能够增加焊垫区面积_芯片

三安半导体申请发光二极管封装体及发光装置专利，能够增加焊垫区面积

创始人

2026-01-12 18:09:31

0次

国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种发光二极管封装体及发光装置”的专利，公开号CN121310741A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本发明提供一种发光二极管封装体及发光装置，本发明中位于发光单元上方的布线层包括位于第一绝缘层下方的第一布线层和位于第一绝缘层上方的第二布线层，其中第一布线层连接每一个发光单元的第一电极；所述第二布线层包括多个间隔分布的子层，各子层分别与所述第一布线层及多个发光单元的第二电极连接。第二布线层形成在第一布线层上方的第一绝缘层上，经通孔与共电极和第二电极连接，因此，第二布线层具有更大的分布空间，由此在封装体尺寸不变的前提下，能够增加形成在第二布线层上的焊垫区的面积；在封装体尺寸进一步缩小时，也能够提供足够的焊垫区面积，保证封装体的功能完整性及可靠性。

天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目60次，专利信息629条，此外企业还拥有行政许可368个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示电极投资单元泉州装置导体绝缘层专利封装体布线层焊垫区装体

上一篇：科世佳申请电路板翻转机专利，有效避免柔性电路板在贴片和焊接过程中的变形或错位

下一篇：1000亿美元豪赌！美光宣布打造全球最先进的存储芯片工厂

三安半导体申请发光二极管封装体及发光装置专利，能够增加焊垫区面积

相关内容

热门资讯