华太电子申请一种半导体器件的制备方法以及半导体器件专利，显著提升了导通电流能力_芯片

华太电子申请一种半导体器件的制备方法以及半导体器件专利，显著提升了导通电流能力

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2026-01-12 11:10:38

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国家知识产权局信息显示，苏州华太电子技术股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件的制备方法以及半导体器件”的专利，公开号CN121310560A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体器件的制备方法以及半导体器件，所述方法包括：提供衬底，在所述衬底一侧形成外延层，所述衬底与所述外延层的掺杂类型不同；对所述外延层进行掺杂处理，形成堆叠的体区、沟道区和栅极；所述栅极位于所述沟道区远离所述衬底的一侧；对所述沟道区进行至少一次掺杂处理，至少形成沿所述衬底垂线方向堆叠的第一沟道区、第二栅极和第二沟道区，其中，所述第一沟道区与所述栅极接触。通过在沟道区内引入第二次p型离子注入，构建了双沟道并联的结构。使得在器件导通时，电流可同时流经第一沟道区和第二沟道区，显著提升了导通电流能力。

天眼查资料显示，苏州华太电子技术股份有限公司，成立于2010年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本38473.6371万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州华太电子技术股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息60条，专利信息501条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示栅极电流投资华太显著提升专利苏州器件半导体衬底沟道区

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