杭州富芯半导体取得沉积装置专利，能执行BCD工艺并在SiN薄膜上进一步沉积形成SiO薄膜
创始人
2026-01-10 16:08:41
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国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司取得一项名为“一种沉积装置”的专利，授权公告号CN223780355U，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本实用新型提供了一种沉积装置，包括工艺腔和气化结构；工艺腔上设有第一类进气口和第二类进气口；气化结构设在工艺腔外，且气化结构与第二类进气口连接。利用该沉积装置执行BCD工艺时，气体原料从第一类进气口进入工艺腔并在位于工艺腔内的基底上沉积形成SiN薄膜，之后液体原料进入气化结构气化再从第二类进气口进入工艺腔，并在SiN薄膜进一步沉积形成SiO薄膜。

天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目35次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息349条，此外企业还拥有行政许可27个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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