上海天岳申请大尺寸低电阻率4H-SiC单晶晶棒专利，能够显著降低功率器件的导通电阻
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2026-01-10 14:06:27
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国家知识产权局信息显示，上海天岳半导体材料有限公司申请一项名为“一种大尺寸、低电阻率的4H-SiC单晶晶棒及4H-SiC单晶衬底”的专利，公开号CN121295358A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请公开了一种大尺寸、低电阻率的4H-SiC单晶晶棒及4H-SiC单晶衬底，属于4H-SiC单晶制备技术领域。所述4H-SiC单晶晶棒的厚度在15mm以上，所述4H-SiC单晶晶棒在任意位置处的电阻率均大于6mΩ·cm且小于12mΩ·cm，所述4H-SiC单晶晶棒任一横截面的电阻率变异系数均≤5%。该4H-SiC单晶晶棒的厚度高，电阻率更低且分布更均匀，能够显著降低功率器件的导通电阻，提高器件的使用稳定性。
天眼查资料显示，上海天岳半导体材料有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本90000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海天岳半导体材料有限公司参与招投标项目15次，专利信息62条，此外企业还拥有行政许可55个。
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来源：市场资讯
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