索尼申请半导体装置和光检测装置专利，电气连接到栅电极
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2026-01-10 10:36:49
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国家知识产权局信息显示，索尼半导体解决方案公司申请一项名为“半导体装置和光检测装置”的专利，公开号CN121312288A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，一种半导体装置，包括：凹槽，其从基板的第一表面朝向与第一表面相对的第二表面配置；绝缘栅场效应晶体管，其配置在所述凹槽内的下部处，并且包括隔着栅极绝缘膜埋入在所述凹槽的侧壁中的栅电极；侧壁绝缘体，其配置在所述凹槽内的上部处的所述凹槽的侧壁上，并且在相同方向上的厚度比所述栅极绝缘膜的厚度更厚；和电极，其隔着所述侧壁绝缘体埋入在所述凹槽内的上部中，并且电气连接到所述栅电极。
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