北京集成电路装备创新中心申请半导体设备去气腔室专利，实现对晶片的均匀加热
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2026-01-10 09:08:50
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国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“半导体设备的去气腔室及半导体设备”的专利，公开号CN121310885A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体设备的去气腔室及半导体设备，涉及半导体制造技术领域，为解决去气腔室对晶片加热不均匀的问题而设计。该去气腔室包括腔体以及均设置在腔体内部的上层灯管、下层灯管和承载组件，承载组件用于承载晶片，且承载组件可上下移动地设置；上层灯管位于晶片的上方，上层灯管的数量为多个，多个上层灯管沿第一水平方向等间隔排布；下层灯管位于晶片的下方，下层灯管的数量与上层灯管的数量相同，多个下层灯管沿第二水平方向等间隔排布，任意相邻两个下层灯管的间距等于任意相邻两个上层灯管的间距；第二水平方向垂直于第一水平方向。本发明可以实现对晶片的均匀加热。
天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息92条，此外企业还拥有行政许可6个。
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来源：市场资讯
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