北京集成电路装备创新中心申请半导体设备去气腔室专利，实现对晶片的均匀加热_芯片

北京集成电路装备创新中心申请半导体设备去气腔室专利，实现对晶片的均匀加热

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2026-01-10 09:08:50

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国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“半导体设备的去气腔室及半导体设备”的专利，公开号CN121310885A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明提供了一种半导体设备的去气腔室及半导体设备，涉及半导体制造技术领域，为解决去气腔室对晶片加热不均匀的问题而设计。该去气腔室包括腔体以及均设置在腔体内部的上层灯管、下层灯管和承载组件，承载组件用于承载晶片，且承载组件可上下移动地设置；上层灯管位于晶片的上方，上层灯管的数量为多个，多个上层灯管沿第一水平方向等间隔排布；下层灯管位于晶片的下方，下层灯管的数量与上层灯管的数量相同，多个下层灯管沿第二水平方向等间隔排布，任意相邻两个下层灯管的间距等于任意相邻两个上层灯管的间距；第二水平方向垂直于第一水平方向。本发明可以实现对晶片的均匀加热。

天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息92条，此外企业还拥有行政许可6个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业创新中心装备投资设备导体灯管集成电路专利北京上层气腔室晶片下层

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