北方华创申请薄膜制备方法和半导体工艺设备专利，提高制备的隧穿氧化层等薄膜的质量_芯片

北方华创申请薄膜制备方法和半导体工艺设备专利，提高制备的隧穿氧化层等薄膜的质量

创始人

2026-01-08 23:08:20

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国家知识产权局信息显示，北京北方华创微电子装备有限公司申请一项名为“一种薄膜制备方法和半导体工艺设备”的专利，公开号CN121272382A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明公开了一种薄膜制备方法和半导体工艺设备，将多个基片分别放入工艺腔室内的至少两个承载部件后，控制工艺腔室循环交替进行通气工艺和闷气工艺，并且，至少在工艺腔室进行闷气工艺时，控制至少两个承载部件异步辉光放电，其中，通气工艺用于向工艺腔室内通入沉积薄膜所需的工艺气体，在进行闷气工艺时工艺腔室内的气体的流动速度小于在进行通气工艺时工艺腔室内的气体的流动速度，从而可以提高制备的隧穿氧化层等薄膜的均匀性和稳定性，提高制备的隧穿氧化层等薄膜的质量。

天眼查资料显示，北京北方华创微电子装备有限公司，成立于2001年，位于北京市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本114153.708311万人民币。通过天眼查大数据分析，北京北方华创微电子装备有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目1345次，财产线索方面有商标信息68条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可340个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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