沃孚半导体申请具有注入电荷补偿区的MOSFET专利，提升半导体器件性能
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2026-01-08 10:10:47
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国家知识产权局信息显示，沃孚半导体公司申请一项名为“具有注入电荷补偿区的MOSFET”的专利，公开号CN121286119A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，一种半导体器件，包括：具有第一导电类型的半导体层；半导体层中的阱区，阱区具有与第一导电类型相对的第二导电类型；阱区中具有第一导电类型的源极区；以及阱区下方的半导体层中的注入电荷补偿区。源极区相邻于阱区中的沟道区。一种形成半导体器件的方法，包括在具有与第二导电类型相对的第一导电类型的半导体层中形成具有第二导电类型的阱区，在阱区中形成具有第一导电类型的源极区，以及将离子注入半导体层中以在阱区下方的半导体层中形成电荷补偿区。源极区相邻于阱区中的沟道区。
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来源：市场资讯
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