沃孚半导体申请具有注入电荷补偿区的MOSFET专利，提升半导体器件性能
创始人
2026-01-08 10:10:47
0次
国家知识产权局信息显示，沃孚半导体公司申请一项名为“具有注入电荷补偿区的MOSFET”的专利，公开号CN121286119A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，一种半导体器件，包括：具有第一导电类型的半导体层；半导体层中的阱区，阱区具有与第一导电类型相对的第二导电类型；阱区中具有第一导电类型的源极区；以及阱区下方的半导体层中的注入电荷补偿区。源极区相邻于阱区中的沟道区。一种形成半导体器件的方法，包括在具有与第二导电类型相对的第一导电类型的半导体层中形成具有第二导电类型的阱区，在阱区中形成具有第一导电类型的源极区，以及将离子注入半导体层中以在阱区下方的半导体层中形成电荷补偿区。源极区相邻于阱区中的沟道区。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
下一篇：商业航天概念走强 银河电子4连板
相关内容
热门资讯
必备教程!“中至赣牌圈有挂辅助...
必备教程!“中至赣牌圈有挂辅助器”(内幕分享)
给大家实测!“星悦云南麻将可以...
给大家实测!“星悦云南麻将可以透视吗”(哔哩哔哩已升级)
重大通知!“微乐陕西三代可以辅...
重大通知!“微乐陕西三代可以辅助吗”(包教包会)
玩家必备!“微信小程序麻将透视...
玩家必备!“微信小程序麻将透视挂辅助挂”(详细开挂教程)
给大家实测!“神殿娱乐透视辅助...
给大家实测!“神殿娱乐透视辅助”(哔哩哔哩已升级)
玩家爆料!“哈狗游戏十三水辅助...
玩家爆料!“哈狗游戏十三水辅助挂果然有”(真的确实有挂)
必备教程!“吉祥填大坑辅助软件...
必备教程!“吉祥填大坑辅助软件”(内幕分享)
今日分享!“无锡麻将有挂吗到底...
今日分享!“无锡麻将有挂吗到底有没有挂”(开挂内幕)
重大通报!“元来黄冈麻将辅助通...
重大通报!“元来黄冈麻将辅助通用版”(内幕分享)
必备教程!“中至鹰潭麻将作弊工...
必备教程!“中至鹰潭麻将作弊工具”(怎么开挂)