浙江创芯申请电容结构及其形成方法专利，能够提高电容结构的性能_芯片

浙江创芯申请电容结构及其形成方法专利，能够提高电容结构的性能

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2026-01-08 08:38:00

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国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“电容结构及其形成方法”的专利，公开号CN121284981A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种电容结构及其形成方法，所述方法包括：形成底层介质层；在所述底层介质层内形成底层金属极板；在所述底层金属极板上形成介质叠层；在所述介质叠层上形成顶层介质层；在所述顶层介质层内形成顶层金属极板，所述顶层金属极板具有窄部和宽部，呈上宽下窄的台阶结构；其中，所述顶层金属极板的窄部的宽度与所述顶层金属极板的宽部的宽度的比值选自(0.85，1)，所述顶层金属极板的窄部的厚度与所述顶层金属极板的宽部的厚度的比值大于等于1.5。采用上述方案，能够提高电容结构的性能。

天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目273次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息520条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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