力晶积成电子申请半导体结构及其制造方法专利，改善存储元件区与周边区边界的结构完整性
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2026-01-08 01:07:42
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国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121284950A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括基底、第一介电层、存储节点接点、第一虚设接点以及第二虚设接点。所述基底具有存储元件区以及周边区。所述第一介电层设置于所述基底上。所述存储节点接点设置于所述存储元件区中的所述第一介电层中。所述第一虚设接点设置于所述存储元件区中的所述第一介电层中，且邻近所述存储元件区与所述周边区之间的边界。所述第二虚设接点设置于所述存储元件区中的所述第一介电层中，且位于所述第一虚设接点与所述存储节点接点之间。所述第二虚设接点包括第二介电层以及位于所述第二介电层上的导电层。
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来源：市场资讯
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