南亚科技取得具有含锰互连结构的半导体元件结构专利
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2026-01-06 21:09:42
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司取得一项名为“具有含锰互连结构的半导体元件结构及其制备方法”的专利，授权公告号CN114765159B，申请日期为2021年11月。

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来源：市场资讯

科技 市场 投资 半导体 元件 南亚 结构 需谨慎 专利 含锰 公告号

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