华虹宏力申请铁电存储器及其形成方法专利，提高了读写窗口_芯片

华虹宏力申请铁电存储器及其形成方法专利，提高了读写窗口

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2026-01-06 18:37:02

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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“铁电存储器及其形成方法”的专利，公开号CN121284974A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供铁电存储器及其形成方法，铁电存储器中的电容结构为沟槽型且呈矩阵排布，电容结构至少贯穿金属间介质层和层间介质层延伸至浅沟槽隔离结构中。本发明采用后段集成沟槽型电容结构，沟槽型电容结构的底端至少深入到浅沟槽隔离结构内，沟槽型电容结构增大了电容的深度和表面积，进而提高了读写窗口，且不受后段金属层数限制。以及采用一个晶体管多个电容结构，浅沟槽隔离结构上方形成沟槽型电容结构矩阵，能够提高电容密度和工艺均匀性。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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