中科晶禾申请低电阻率薄膜制备方法专利，可形成晶粒取向接近一致的低电阻率薄膜_芯片

中科晶禾申请低电阻率薄膜制备方法专利，可形成晶粒取向接近一致的低电阻率薄膜

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2026-01-05 15:37:54

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国家知识产权局信息显示，天津中科晶禾电子科技有限责任公司申请一项名为“一种低电阻率薄膜及其制备方法与超原子束辅助镀膜装置”的专利，公开号CN121250301A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供了一种低电阻率薄膜及其制备方法与超原子束辅助镀膜装置，所述的制备方法包括：提供基底；通过离子束溅射靶材在基底表面沉积形成薄膜的过程中伴随利用超原子束轰击所述基底的沉积面，直至薄膜沉积结束。本发明在沉积过程中伴随利用超原子束轰击所述基底的薄膜沉积面，超原子束能够增加基底沉积面上原子的能量，使原子易于向具有低能表面的晶粒发生表面扩散，从而可以形成晶粒取向接近一致的低电阻率薄膜，过程中能够避免对膜层造成损伤，还提高了膜的致密性。

天眼查资料显示，天津中科晶禾电子科技有限责任公司，成立于2020年，位于天津市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本552.8571万人民币。通过天眼查大数据分析，天津中科晶禾电子科技有限责任公司参与招投标项目60次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息92条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法晶粒取向投资晶禾天津薄膜原子束电阻率专利基底

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