华星光电申请薄膜晶体管专利，改善有源层爬坡区域电子迁移率下降问题_芯片

华星光电申请薄膜晶体管专利，改善有源层爬坡区域电子迁移率下降问题

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2026-01-03 16:36:58

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国家知识产权局信息显示，武汉华星光电技术有限公司申请一项名为“薄膜晶体管、阵列基板及显示面板”的专利，公开号CN121262864A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请公开了一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板，属于显示技术领域，薄膜晶体管包括遮光层、有源层、栅极、以及源漏极；遮光层与有源层在基底表面的正投影具有交接区；有源层包括：扩展部，位于交接区内；以及，主体部，连接扩展部；其中，扩展部的宽度，大于主体部的宽度；阵列基板包括具有阵列区、外围区的基底，上述的薄膜晶体管设置于基底之上、且位于阵列区内；显示面板包括上述的阵列基板。通过在有源层的主体部上设置位于交接区的、宽度明显扩大的扩展部，利于后续晶化制程的顺利进行，避免了结晶恶化问题，且显著增加了有源层在遮光层边缘爬坡区域的载流子通道的截面尺寸，改善了有源层爬坡区域减薄导致的电子迁移率下降的问题。

天眼查资料显示，武汉华星光电技术有限公司，成立于2014年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1191853.7749万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉华星光电技术有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目677次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可263个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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