北京知识产权运营管理公司申请半导体结构及其形成方法专利，可以改善VFET中的CMOS的N/P失配特性_芯片

北京知识产权运营管理公司申请半导体结构及其形成方法专利，可以改善VFET中的CMOS的N/P失配特性

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2026-01-02 12:08:34

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国家知识产权局信息显示，北京知识产权运营管理有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121240510A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述半导体衬底包括相互垂直的x方向和y方向；所述第一区域的半导体衬底上形成有沿x方向延伸的若干第一鳍片，所述第二区域的半导体衬底上形成有沿y方向延伸的若干第二鳍片。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以改善VFET中的CMOS的N/P失配特性，也可以使N/PMOS同时具备较高的迁移率提高电路性能。

天眼查资料显示，北京知识产权运营管理有限公司，成立于2014年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本15067万人民币。通过天眼查大数据分析，北京知识产权运营管理有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目31次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息120条，此外企业还拥有行政许可2个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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