晶合集成申请电容器结构及制造方法专利，可提高电容器结构的容量和性能_芯片

晶合集成申请电容器结构及制造方法专利，可提高电容器结构的容量和性能

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2026-01-01 20:37:16

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“电容器结构以及电容器结构的制造方法”的专利，公开号CN121240471A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种电容器结构以及电容器结构的制造方法，属于半导体技术领域，所述电容器结构至少包括：下电极，包括分割的多个下电极元件，且相邻的所述下电极元件之间形成有间隙；第一绝缘层，覆盖所述下电极元件的侧面，并在相邻的所述下电极元件之间形成凹部；MIM堆栈层，设置在所述下电极元件和所述第一绝缘层上，且所述MIM堆栈层覆盖所述下电极元件的上表面和所述第一绝缘层；第二绝缘层，设置在所述MIM堆栈层上；上电极，设置在所述第二绝缘层上；以及导通管，贯穿所述第二绝缘层，且所述导通管连接所述MIM堆栈层和所述上电极。通过本发明提供的一种电容器结构及电容器结构的制造方法，可提高电容器结构的容量和性能。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目634次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1533条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造电极投资电容器集成绝缘层晶合结构专利栈层元件

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