爱思开海力士申请半导体装置及其制造方法专利，提升存储单元性能与可靠性
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2026-01-01 15:16:49
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置和半导体装置的制造方法”的专利，公开号CN121240451A，申请日期为2021年3月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：层叠结构，其包括交替地层叠的多个导电图案和多个层叠绝缘层；沟道结构，其穿透层叠结构；隧道绝缘层，其围绕沟道结构；单元存储图案，其围绕隧道绝缘层；以及虚设存储图案，其围绕隧道绝缘层，虚设存储图案与单元存储图案间隔开。导电图案包括与隧道绝缘层接触的选择导电图案。
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来源：市场资讯
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