微电子

时代电气招标结果:二三极管-Littelfuse直接采购公示

证券之星消息,根据天眼查APP-财产线索数据整理,株洲中车时代电气股份有限公司12月22日发布《二三极管-Littelfuse直接采购公示》,详情如下: 标题:...

中航光电中标:P-XJ-25-00394193第二次中航光电连接器结果公告

证券之星消息,根据天眼查APP-财产线索数据整理,根据国核自仪系统工程有限公司12月21日发布的《P-XJ-25-00394193第二次中航光电连接器结果公告》...

时代电气招标结果:武汉威信框架合同(电磁继电器)直接采购公示

证券之星消息,根据天眼查APP-财产线索数据整理,株洲中车时代电气股份有限公司12月22日发布《武汉威信框架合同(电磁继电器)直接采购公示》,详情如下: 标题:...

易天股份:子公司微组半导体设备获客户订单

证券之星消息,易天股份(300812)12月23日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者提问:董秘你好,中际旭创,新易盛,cpo模块高速增长,公司加大...

扬帆新材:生产PCB电路板相关材料,高性能飞秒激光直写双光子光刻胶尚处研发阶段

有投资者在互动平台向扬帆新材提问:“董秘你好,昨天给贵公司电话咨询,接电话的人说公司生产PCB用的光刻胶材料,那你为什么矢口否认?另外,公司有解决卡脖子的材料和...

“之江同心”聚势汇智 浙江民建赋能台州光电产业发展

中新网台州12月24日电(蓝伊旎)12月21日至23日,“之江同心·经济圆桌会议”暨光电产业机遇大会在浙江台州椒江举行,浙江民建企业家以及光电产业链上下游企业代...

瑞昱半导体取得管线式电脑系统与指令处理方法专利

国家知识产权局信息显示,瑞昱半导体股份有限公司取得一项名为“管线式电脑系统与指令处理方法”的专利,授权公告号CN114546494B,申请日期为2020年11月...

ETF盘中资讯|部分产能涨价10%?中芯国际飙涨5%,首只“港股芯片链”ETF开盘涨近2%

12月24日早盘,港股芯片强势开涨,中芯国际、上海复旦飙涨5%,华虹半导体涨超4%。全市场首只聚焦“港股芯片”产业链的港股信息技术ETF(159131)场内价格...

机构预计存储芯片价格将持续上涨,芯片ETF(159995.SZ)上涨0.52%,北京君正上涨6.23%

12月24日,A股三大指数集体上涨,上证指数盘中上涨0.08%,环保、电子、通信等板块涨幅靠前,农林牧渔、煤炭跌幅居前。芯片科技股走强,截至9点48分,芯片ET...

华灿光电:12月23日融资买入1091.77万元,融资融券余额8.18亿元

证券之星消息,12月23日,华灿光电(300323)融资买入1091.77万元,融资偿还819.06万元,融资净买入272.71万元,融资余额8.18亿元。 ...

美亚光电:12月23日融资买入778.32万元,融资融券余额1.5亿元

证券之星消息,12月23日,美亚光电(002690)融资买入778.32万元,融资偿还555.51万元,融资净买入222.81万元,融资余额1.48亿元。 融...

2026人教版七年级历史上册电子课本(PDF高清版)

为帮助初一学生更好地预习和复习历史知识,快速了解历史教材的具体内容,我们特别整理了2026人教版七年级历史上册电子课本,以图片的形式呈现给大家。 如需全套初中电...

电子板块拉升 胜利精密等多股涨停

12月24日早盘,电子板块拉升,胜利精密、恒铭达、天津普林均涨停,精研科技、至正股份涨超7%,德明利等跟涨。 来源:金融界AI电报

东方晶源以AI赋能破局良率瓶颈,荣膺2026 IC 风云榜“年度AI赋能企业先锋奖”

近日,备受瞩目的“2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼”在上海隆重举行。东方晶源凭借在AI赋能半导体先进制程良率提升领域的突破性创新与卓越实践成效,经主办...

合粤LX系列牛角型铝电解电容82000uF25V22*35 牛角电容常规品

产品名:牛角电解电容 系列/类型:LX(两极) 工作温度范围-40~85 ℃ 尺寸⌀ D22mm尺寸L35mm 牛角电解电容是一种常见的电解电容器,因其外形类...

超频三:公司涉及的散热产品主要包括消费电子散热配件、LED照明散热组件等

每经AI快讯,有投资者在投资者互动平台提问:公司在液冷服务器方面有哪些布局? 超频三(300647.SZ)12月24日在投资者互动平台表示,目前,公司散热领域涉...

联创光电(600363)12月23日主力资金净卖出5650.37万元

证券之星消息,截至2025年12月23日收盘,联创光电(600363)报收于56.42元,下跌3.04%,换手率1.89%,成交量8.5万手,成交额4.84亿元...

能华微电子取得GaN HEMT器件P-GaN延伸层制备方法专利

国家知识产权局信息显示,江苏能华微电子科技发展有限公司取得一项名为“一种GaN HEMT器件、P-GaN延伸层的制备方法”的专利,授权公告号CN12082598...

工业场景铠装热电阻选型指南专业推荐

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