微电子
三星显示取得数据补偿电路及显示装置专利
国家知识产权局信息显示，三星显示有限公司取得一项名为“数据补偿电路、包括其的显示装置和补偿数据的方法”的专利，授权公告号CN114387916B，申请日期为20...
意谷光电取得用于车载的PON网络通信系统专利，大大减少光纤、光模块数量，节省成本
国家知识产权局信息显示，意谷光电科技（湖南）有限公司取得一项名为“一种用于车载的PON网络通信系统”的专利，授权公告号CN224037466U，申请日期为202...
武汉邮科院申请光电探测器及其制备方法专利，解决传统材料在紫外波段吸收效率低的问题
国家知识产权局信息显示，武汉邮电科学研究院有限公司申请一项名为“一种光电探测器及其制备方法”的专利，公开号CN121728862A，申请日期为2025年12月。...
晟成光电取得钙钛矿Inline式真空镀膜设备专利，避免镀率产生较大波动
国家知识产权局信息显示，昆山晟成光电科技有限公司取得一项名为“一种钙钛矿Inline式真空镀膜设备”的专利，授权公告号CN224031082U，申请日期为202...
富博申请漩涡检测方法及传感器专利，实现对存在漩涡的准确检测
国家知识产权局信息显示，富博（晋城）科技创新有限公司;晋城市光机电产业协调服务中心（晋城市光机电产业研究院）申请一项名为“一种漩涡检测方法及漩涡检测传感器”的专...
vivo取得壳体制造方法和电子设备的壳体专利
国家知识产权局信息显示，维沃移动通信有限公司取得一项名为“壳体制造方法和电子设备的壳体”的专利，授权公告号CN115589681B，申请日期为2022年11月。...
台光电子取得共聚物及其制造方法专利
国家知识产权局信息显示，中山台光电子材料有限公司取得一项名为“共聚物、其制造方法、树脂组合物及其制品”的专利，授权公告号CN120349464B，申请日期为20...
深圳电子展助力出海 ！消费电子ETF（159732）早盘上涨2.87%，成分股佰维存储、立讯精密涨超8%
3月25日临近午盘，A股三大指数集体上涨，上证指数盘中上涨1.01%，通信、综合、有色金属等板块涨幅靠前，煤炭、石油石化跌幅居前。消费电子走强，截至10点50分...
超威半导体取得使用复合存储器命令的存储器操作专利
国家知识产权局信息显示，超威半导体公司取得一项名为“使用复合存储器命令的存储器操作”的专利，授权公告号CN115427938B，申请日期为2021年4月。 声明...
格力电器取得嵌入式门铰链及冰箱专利
国家知识产权局信息显示，珠海格力电器股份有限公司取得一项名为“嵌入式门铰链及冰箱”的专利，授权公告号CN116988705B，申请日期为2023年8月。 天眼查...
思格数字申请绝缘阻抗检测方法及电源系统专利，提高电源系统运行安全性
国家知识产权局信息显示，上海思格数字技术有限公司申请一项名为“一种绝缘阻抗检测方法及电源系统”的专利，公开号CN121721362A，申请日期为2025年12月...
电位滴定仪测量时如何减少误差？
电位滴定仪作为实验室精准定量分析的核心仪器，广泛依托电位变化判定滴定终点，替代传统人工目视滴定，大幅提升检测效率与数据可靠性。但在实际检测过程中，仪器性能、操作...
德源电力取得具备电压异常预警功能的集中器专利
国家知识产权局信息显示，山东德源电力科技股份有限公司取得一项名为“一种具备电压异常预警功能的集中器”的专利，授权公告号CN121071734B，申请日期为202...
美光科技取得电压产生系统调节专利
国家知识产权局信息显示，美光科技公司取得一项名为“电压产生系统的调节”的专利，授权公告号CN114846547B，申请日期为2020年12月。 声明：市场有风险...
Counterpoint数据：超半数智能手机SoC基于5nm及以下制程
IT之家 3 月 24 日消息，Counterpoint 昨日表示，2025 年超过一半的全球智能手机 SoC 采用了 5nm 及以下工艺（IT之家注：以下称为...
中天科技申请超导磁体系统专利，避免应力集中防止连接界面微动磨损
国家知识产权局信息显示，中天集团上海超导技术有限公司、江苏中天科技股份有限公司申请一项名为“超导磁体系统”的专利，公开号CN121709369A，申请日期为20...
铠侠申请半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法专利，可进行容易的擦除动作
国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法”的专利，公开号CN121712008A，申请日期为2020年1...
公告精选：多家A股公司慷慨分红；东微半导拟收购控股慧能泰半导体公司
人民财讯3月24日电，【热点】 九州通：参股公司凯乐士科技在香港联交所挂牌上市，公司持股比例3.65%。 国发股份：大股东所持公司3.4%股份将被司法拍卖，或致...
镓特半导体取得半导体结构及自支撑氮化镓层制备方法专利
国家知识产权局信息显示，镓特半导体科技（上海）有限公司取得一项名为“半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法”的专利，授权公告号CN114628237B，申请日期...
真芯半导体取得半导体结构及制造方法专利
国家知识产权局信息显示，真芯（北京）半导体有限责任公司取得一项名为“半导体结构、半导体结构的制造方法及电子设备”的专利，授权公告号CN113903738B，申请...