微电子
南京开关厂申请基于光耦合的局部放电光信号整合与传输方法专利，检测灵敏度高
国家知识产权局信息显示，南京开关厂股份有限公司申请一项名为“一种基于光耦合的局部放电光信号整合与传输方法”的专利，公开号CN121036857A，申请日期为20...
2025年11月单相电源滤波器，IEC插座式电源滤波器，军用电源滤波器厂家最新推荐：五大测评排名与选择指南
在工业自动化、医疗设备、通信系统等领域蓬勃发展的当下，电源滤波器作为保障设备稳定运行、减少电磁干扰的关键部件，其市场需求日益增长。然而，当前电源滤波器市场源头厂...
浙江三花汽车零部件公司取得传感器组件以及阀装置专利
国家知识产权局信息显示，浙江三花汽车零部件有限公司取得一项名为“传感器组件以及阀装置”的专利，授权公告号CN114636512B，申请日期为2020年12月。 ...
工信部：1—10月规模以上电子信息制造业增加值同比增长10.6%
每经AI快讯，12月1日，工信部数据显示，1—10月，规模以上电子信息制造业增加值同比增长10.6%，增速分别比同期工业、高技术制造业高4.5个和1.3个百分点...
同裕电子取得服务器用柱状翅片降膜蒸发换热管专利
国家知识产权局信息显示，东莞市同裕电子有限公司取得一项名为“一种服务器用柱状翅片降膜蒸发换热管”的专利，授权公告号CN120444943B，申请日期为2025年...
储蓄国债（电子式）入列——个人养老金产品池再扩容
日前，财政部、中国人民银行联合发布《关于储蓄国债（电子式）纳入个人养老金产品范围有关事宜的通知》，明确自2026年6月起，符合条件的储蓄国债承销团成员为个人养老...
我国成功发射实践二十八号卫星
11月30日20时20分，我国在文昌航天发射场使用长征七号改运载火箭，成功将实践二十八号卫星发射升空，卫星顺利进入预定轨道，发射任务获得圆满成功。 11月3...
5场比赛打进42个进球 这支U16国足表现够抢眼
11月30日晚，随着U16国足在U17亚预赛最后一场比赛中以4比0击败孟加拉国队，他们也顺利拿到了2026年沙特U17亚洲杯决赛阶段的参赛名额。5场比赛打进42...
金融助农新模式 信贷嵌入“保险+期货”
记者 陈植 “种玉米，一怕歉收，二怕卖不好，三怕卖不掉。”新疆塔城地区玉米种植户老张向记者感慨地说。 10多年前，他开始种植玉米。如今，他承包的玉米种植面积达...
东莞一加油站未经批准，擅自取地下水5655.48立方米
近日，东莞市水务局在信用中国（广东·东莞）平台通报称，东莞市塘厦明华加油站有限公司未经批准，在1428天内擅自取地下水5655.48立方米作洗车业务之用，被罚2...
原创 银行卡莫名被扣钱，只因这2个开关没有及时关闭，许多人已经中招！
大家好，我是小雨。今天要为大家分享的是微信和支付宝关闭自动续费的方法，许多人都已经中招。 在我们的日常生活中，许多人都会使用微信或者支付宝付款，无论是街边地摊还...
弗拉格35+8哈登空砍29+8+11 独行侠送快船四连败
【搜狐体育战报】北京时间11月30日NBA常规赛，客场作战的独行侠以114-110击败快船，快船遭遇4连败。弗拉格35分8篮板2助攻，哈登29分8篮板11助攻。...
金智科技中标：110kV江中林线、女流松线输电线路高电位异常状态一体化监测装置技改项目成交结果公告
证券之星消息，根据天眼查APP-财产线索数据整理，根据广西能源股份有限公司供电分公司11月27日发布的《110kV江中林线、女流松线输电线路高电位异常状态一体化...
法拉电容有正负极吗为什么？
在电子元器件的世界里，电容种类繁多，法拉电容便是其中备受关注的一种。对于许多电子爱好者和从事相关工作的人来说，了解法拉电容是否有正负极以及为何如此是十分必要的。...
2025电荷放大器品牌推荐指南-聚焦场景适配与技术服务
根据《2025全球测试测量行业白皮书》数据，电荷放大器作为压电式传感器的核心信号调理设备，其市场规模预计年内达到12亿美元，年复合增长率6.8%。在航空航天、工...
重庆钢铁取得出钢机出钢控制方法、装置、电子设备及存储介质专利
国家知识产权局信息显示，重庆钢铁股份有限公司取得一项名为“一种出钢机出钢控制方法、装置、电子设备及存储介质”的专利，授权公告号CN117187522B，申请日期...
加华电子取得水下目标探测和识别设备专利
国家知识产权局信息显示，朝阳市加华电子有限公司取得一项名为“一种水下目标探测和识别设备”的专利，授权公告号CN114371518B，申请日期为2022年1月。 ...
原创 2026赛季 ！海港还能一键开关在541跟433来回切换 更加威猛
2025赛季，海港在缺少中超最贵的外援奥斯卡， 身价第一的巴尔加斯， 历史进球第一的武磊后，依然可以夺得冠军，很多人都说，还是海港穆帅懂得 一键开关在541跟4...
上海集成电路研发中心取得MOSCAP器件沟槽制备方法及MOSCAP器件专利
国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司取得一项名为“MOSCAP器件沟槽制备方法及MOSCAP器件”的专利，授权公告号CN116053193B，申...