北京集成电路装备创新中心申请反应腔室处理方法专利，提升半导体器件性能_微电子

北京集成电路装备创新中心申请反应腔室处理方法专利，提升半导体器件性能

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2025-12-27 15:06:50

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国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“一种反应腔室的处理方法”的专利，公开号CN121204629A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种反应腔室的处理方法，包括：提供反应腔室步：反应腔室的内壁面具有洁净的耐等离子体腐蚀涂层；第一沉积步：碳基工艺气体气氛下，在耐等离子体腐蚀涂层的表面沉积无定形碳层，以填充耐等离子体腐蚀涂层的孔隙直至无定形碳层的上表面高于孔隙的上端面；第二沉积步：硅基工艺气体气氛下，在无定形碳层的表面沉积二氧化硅层，以保护耐等离子体腐蚀涂层。该反应腔室的处理方法，无定形碳层能够填充耐等离子体腐蚀涂层的孔隙，完全覆盖耐等离子体腐蚀涂层，便于后续二氧化硅层的均匀沉积，降低甚至避免工艺过程中二氧化硅层和耐等离子体腐蚀涂层的脱落，为半导体制备提供更洁净的腔室环境，提升半导体器件的性能。

天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息77条，此外企业还拥有行政许可6个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法创新中心投资处理等离子体集成电路反应涂层专利腔室形碳层二氧化

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