奕成集成电路申请芯片封装结构制作方法专利，可以使第一导电柱和第二导电柱的高度误差更小_微电子

奕成集成电路申请芯片封装结构制作方法专利，可以使第一导电柱和第二导电柱的高度误差更小

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2025-12-27 09:37:03

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国家知识产权局信息显示，成都奕成集成电路有限公司申请一项名为“一种芯片封装结构的制作方法及芯片封装结构”的专利，公开号CN121215521A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请公开了一种芯片封装结构的制作方法及芯片封装结构，涉及芯片封装技术领域。该方法包括提供一载板；在载板的一侧形成第一图案化光刻胶层，第一图案化光刻胶层上设有多个第一通孔和多个第二通孔，第一通孔在载板上的正投影的面积小于第二通孔在载板上的正投影的面积，和/或多个第一通孔的密度小于多个第二通孔的密度；或者，沿平行于载板的方向，第一通孔在载板上的正投影的面积等于第二通孔在载板上的正投影的面积，且多个第一通孔的密度小于多个第二通孔的密度；在多个第一通孔和多个第二通孔内电镀导电材料，以在第一通孔内形成第一导电柱。本申请可以使第一导电柱和第二导电柱的高度误差更小。

天眼查资料显示，成都奕成集成电路有限公司，成立于2017年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本234500万人民币。通过天眼查大数据分析，成都奕成集成电路有限公司参与招投标项目353次，财产线索方面有商标信息28条，专利信息141条，此外企业还拥有行政许可226个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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