长鑫科技申请数据存储电路专利，提高存储单元与逻辑控制电路的集成度_微电子

长鑫科技申请数据存储电路专利，提高存储单元与逻辑控制电路的集成度

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2025-12-26 10:12:20

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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“数据存储电路、半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121214999A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，一种数据存储电路、半导体结构及其制备方法，该数据存储电路包括：包括多个第一子位线的第一存储阵列；包括多个第二子位线的第二存储阵列；第一选择电路，与至少两个第一子位线电连接，被配置为选择至少两个第一子位线中的一者作为第一目标子位线，并将第一目标子位线的第一信号输出到第一主位线；第二选择电路，与至少两个第二子位线电连接，被配置为选择至少两个第二子位线中的一者作为第二目标子位线，并将第二目标子位线的第二信号，并输出到第二主位线；感测放大器，连接第一主位线和第二主位线，被配置为比较第一信号和第二信号并输出目标数据。上述数据存储电路可以提高存储单元与逻辑控制电路的集成度。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1085次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息625条，此外企业还拥有行政许可34个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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