士兰明镓取得发光二极管专利，提高光刻线宽精度和光刻工艺稳定性_微电子

士兰明镓取得发光二极管专利，提高光刻线宽精度和光刻工艺稳定性

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2025-12-26 09:36:32

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国家知识产权局信息显示，厦门士兰明镓化合物半导体有限公司取得一项名为“发光二极管”的专利，授权公告号CN223714521U，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本实用新型提供一种发光二极管，包括：外延层，包括依次堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，第一半导体层与第二半导体层的掺杂类型相反，外延层中形成有第一通孔，第一通孔贯穿第二半导体层和有源层并暴露出第一半导体层；第一DBR层，位于所述第一通孔的内壁并延伸至所述第一通孔外围的所述第二半导体层表面，所述第一通孔外围的所述第一DBR层中形成有第二通孔，所述第二通孔贯穿所述第一DBR层并暴露出所述第二半导体层；第一底部抗反射层，至少位于所述第一通孔开口处的所述第一DBR层远离所述外延层的部分表面，所述第一底部抗反射层吸收近紫外光且透射可见光；第一金属反射层，至少位于所述第一通孔开口处的所述第一底部抗反射层远离所述外延层的一面，所述第一金属反射层还延伸至所述第二通孔中，所述第一金属反射层与所述第二半导体层电连接。本实用新型使得发光二极管具有高反射能力的同时，还能提高光刻线宽精度和光刻工艺稳定性。

天眼查资料显示，厦门士兰明镓化合物半导体有限公司，成立于2018年，位于厦门市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本246038.289196万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门士兰明镓化合物半导体有限公司参与招投标项目34次，专利信息232条，此外企业还拥有行政许可30个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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