近日，备受瞩目的“2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼”在上海隆重举行。东方晶源凭借在AI赋能半导体先进制程良率提升领域的突破性创新与卓越实践成效，经主办方评委会从AI技术应用的深度与广度、实际业务提升效果、行业影响力与创新性三个维度严苛遴选，成功斩获“年度AI赋能企业先锋奖”，成为AI技术与半导体产业深度融合标杆。

本届IC风云榜由半导体投资联盟和集成电路投资创新联盟主办、ICT知识产权发展联盟协办、爱集微承办，以“AI赋能・共筑未来——技术创新与产业融合之路”为核心主题，是国内集成电路领域极具权威性与影响力的行业盛会。“年度AI赋能企业先锋奖”旨在表彰2025年度在人工智能（AI）及大模型技术应用方面表现卓越，成功推动企业产品升级、业务转型或效率提升，并在行业内产生示范效应的企业，堪称半导体行业AI应用领域的“风向标”。

作为国内集成电路良率管理领军企业，东方晶源自2014年创立以来，始终秉持HPO一体化良率理念，积极构建“设备-数据-算法”三位一体的技术体系。面对芯片工艺向先进节点演进中，图形化（Patterning）相关的系统性良率损失已成为制约晶圆厂研发效率提升、量产成本降低这一行业核心痛点，公司创新性推出DMC（Design Manufacturability Check）、PHD（Patterning Hotspot Detection）、vPWQ（Virtual Process Window Qualification）三大AI赋能核心工具。该系列产品以“AI赋能重构图形化工艺模型”为核心逻辑，通过提前识别Patterning潜在坏点，打造从“设计-掩模-光刻-刻蚀”的全流程良率管控方案，精准破解行业痛点，为国内晶圆厂减少对海外高端仿真、制造工具的依赖提供有力支持，助力国内集成电路制造业突破先进制程技术瓶颈、提升竞争力。

其中，DMC作为设计端“良率前置哨兵”，通过AI驱动的D2C引擎绕开传统复杂流程，直接快速预测光刻轮廓，反馈效率提升100倍以上，可在流片前精准识别潜在风险；PHD以“基础OPC建模+SEM图像处理+AI辅助建模”融合创新，构建动态坏点预测模型，打破传统模型“静态固化”局限，大幅提升复杂版图检测精度；vPWQ则将仿真检测延伸至刻蚀环节，采用“传统Etch Term+AI Term”混合建模，精准预测刻蚀后轮廓，助力晶圆厂缩短流片次数。

目前上述点工具已在国内先进节点FAB完成硅片数据验证，获得客户高度认可。特别是在近期举办的IWAPS（国际先进光刻技术研讨会）上，东方晶源合作FAB公布了vPWQ即基于刻蚀模型的仿真检测在量产线的应用成果，表明vPWQ产品可精准仿真坏点，缩短流片次数。再次印证相较于传统方案，该系列产品在良率提升、成本节约和缩短周期等多个核心维度上具有重要价值。

此外，为打通“量测数据-工艺建模-良率优化”的全链路，东方晶源除了提供DMC、PHD、vPWQ三款核心点工具外，还构建了覆盖电子束量检测装备（CD-SEM、EBI和DR-SEM）、AI赋能的数据管理平台（YieldBook）、装备Recipe离线配置软件（oDAS、PME）的完整产品矩阵。同时，以HPO理念为核心，将“硬件量测”与“软件建模”作为良率优化的两大支柱，构建了覆盖Patterning全流程的良率管控能力，进而形成了难以复制的差异化优势和核心竞争力。

“此次获奖是IC风云榜组委会及行业对东方晶源AI技术创新与产业赋能成果的高度认可。”东方晶源相关负责人表示，“半导体先进制程的竞争本质是良率的竞争，而AI是破解良率瓶颈的核心引擎。未来，公司将持续深化AI与半导体制造全流程的融合创新，迭代优化核心技术与解决方案，与产业链伙伴携手构建自主可控的产业生态，为中国集成电路产业高质量发展注入更强动力。”