国家知识产权局信息显示,积亚半导体股份有限公司申请一项名为“半导体元件”的专利,公开号CN121888965A,申请日期为2024年12月。
专利摘要显示,本发明提供一种半导体元件,所述半导体元件包括衬底、晶体管和缓冲电路。晶体管和缓冲电路设置在同一衬底上,缓冲电路与晶体管电性相连。缓冲电路具有多晶硅层和介电层,两者相邻设置而电性串联。其中,多晶硅层电性连接到晶体管的源极,介电层电性连接到晶体管的漏极,使多晶硅层成为电阻且介电层成为电容,使缓冲电路成为电阻电容缓冲电路。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
来源:市场资讯