华为申请存储阵列及其制作方法专利，提高存储器的存储密度_微电子

华为申请存储阵列及其制作方法专利，提高存储器的存储密度

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2026-04-23 00:40:58

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国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“一种存储阵列及其制作方法、存储器、电子设备”的专利，公开号CN121888594A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本申请实施例公开一种存储阵列及其制作方法、存储器、电子设备，涉及半导体器件技术领域，旨在解决提高存储器的电学性能。该存储阵列包括沿第一方向间隔排布的多个存储层。每个存储层包括多个存储单元。存储单元包括围设出沿第一方向延伸的沟道孔的第一沟道结构和第二沟道结构、与第一沟道结构连接的第一电极、设置在第一沟道结构一侧的二电极线、设置在第二沟道结构一侧且与第一沟道结构连接的第二栅极。第一栅极与第一沟道结构之间设置有第一栅极，第二栅极与第二沟道结构之间设置有第二栅极。上述存储阵列中的沟道孔以及存储单元中各结构的平铺设计，有助于降低存储层的制作难度，提高存储器的存储密度。

天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了51家企业，参与招投标项目41650次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1721个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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