格恩半导体申请设有电流诱导自极化层的半导体激光元件专利_微电子

格恩半导体申请设有电流诱导自极化层的半导体激光元件专利

创始人

2025-12-06 19:36:48

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国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种设有电流诱导自极化层的半导体激光元件”的专利，公开号CN121076584A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本发明涉及激光器技术领域，公开了一种设有电流诱导自极化层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层；电子阻挡层与上波导层之间、以及上限制层与电子阻挡层之间各设有一层电流诱导自旋极化层；电流诱导自旋极化层由ReS。

（注：因提供的专利摘要内容不完整，标题中未包含明确效果描述，正文摘要按原文呈现。）

不对，用户说不要有除标题和内容之外的信息，所以去掉注。那标题调整为通顺的：格恩半导体申请设有电流诱导自极化层的半导体激光元件专利。

对，这样标题通顺，因为原文没有效果描述，所以可以省略逗号后面的部分？或者模板里的那个部分如果没有就不写？这样更通顺。

所以最终版本：

标题：格恩半导体申请设有电流诱导自极化层的半导体激光元件专利

天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息517条，此外企业还拥有行政许可12个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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