荣芯半导体申请金属硅化物层电阻的测试结构、制造方法及测试方法专利，从结构上消除离子注入干扰_微电子

荣芯半导体申请金属硅化物层电阻的测试结构、制造方法及测试方法专利，从结构上消除离子注入干扰

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2025-12-06 19:36:28

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国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（宁波）有限公司申请一项名为“金属硅化物层的电阻的测试结构、制造方法和测试方法”的专利，公开号CN121076053A，申请日期为2025年11月。专利摘要显示，一种金属硅化物层的电阻的测试结构、制造方法和测试方法，测试结构包括衬底、外延层和金属硅化物层，所述外延层设置于所述衬底上，所述金属硅化物层设置于所述外延层上。本申请从结构上消除了离子注入干扰，确保获取金属硅化物层的真实电阻特性，进而可精准反映金属硅化物层的厚度和方块电阻、多晶硅栅极及硅有源区尺寸等关键工艺参数的真实状态及其在晶圆内的均匀性，为工艺监控与优化提供可靠依据，提升器件性能一致性与制造良率。

天眼查资料显示，荣芯半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41452.2292万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（宁波）有限公司共对外投资了6家企业，财产线索方面有商标信息15条，专利信息70条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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