华虹宏力申请参考电压产生电路及方法专利，实现低电压条件下稳定、高精度的参考电压输出_微电子

华虹宏力申请参考电压产生电路及方法专利，实现低电压条件下稳定、高精度的参考电压输出

创始人

2025-12-06 17:07:04

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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“参考电压产生电路以及参考电压产生方法”的专利，公开号CN121070121A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明提供一种参考电压产生电路以及参考电压产生方法。该电路包括放大器单元和参考电压产生单元。其中，该放大器单元包括PMOS差分输入对以及第一和第二双极晶体管；关键之处在于，第一双极晶体管的基极耦合至第一PMOS晶体管的漏极，第二双极晶体管的基极耦合至第二PMOS晶体管的漏极。本发明通过利用双极晶体管进行电平转换，为差分输入对提供了充足的电压裕量，确保了电路在极低电源电压下的饱和工作状态，从而实现了在低电压条件下稳定、高精度的参考电压输出，并具有优良的温度稳定性。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目928次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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