杭州富芯申请一种半导体芯片、金属互连层的制备方法及金属互连层专利，满足厚度需求同时减少半导体衬底表面金属残留缺陷_微电子

杭州富芯申请一种半导体芯片、金属互连层的制备方法及金属互连层专利，满足厚度需求同时减少半导体衬底表面金属残留缺陷

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2025-12-06 12:07:25

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国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“一种半导体芯片、金属互连层的制备方法及金属互连层”的专利，公开号CN121076048A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体芯片、金属互连层的制备方法及金属互连层，该半导体芯片包括半导体衬底，半导体衬底上形成有若干器件结构；金属互连层，金属互连层位于半导体衬底上方，用于连接若干器件结构，其中，金属互连层至少包括：位于半导体衬底上方的第一钛层；位于第一钛层上方的第一氮化钛层；位于第一氮化钛层上方的金属层；以及，位于金属层上方的至少两组复合阻挡层；每组复合阻挡层分别包括第二钛层和位于第二钛层上方的第二氮化钛层；每组复合阻挡层中的第二氮化钛层的厚度小于第一预设厚度；各组复合阻挡层中的第二氮化钛层的厚度之和等于或大于第二预设厚度。该半导体芯片在满足厚度需求的同时减少了半导体衬底表面的金属残留缺陷。

天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目35次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息328条，此外企业还拥有行政许可27个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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