荣芯半导体申请一种半导体器件及其制备方法专利，灵活调节器件的阈值电压_微电子

荣芯半导体申请一种半导体器件及其制备方法专利，灵活调节器件的阈值电压

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2025-12-05 13:07:34

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国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（宁波）有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN 121054477 A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，在衬底中形成有至少一个浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构定义出有源区；对衬底执行第一离子注入工艺，以在有源区中形成阱区；在衬底上形成图案化的掩膜层，图案化的掩膜层定义出至少一个注入窗口，每个注入窗口暴露出阱区上方的部分衬底表面；以图案化的掩膜层为掩膜，通过注入窗口对衬底执行第二离子注入工艺，以在有源区中形成阈值电压调节区其中阈值电压调节区在衬底中的深度小于阱区在衬底中的深度；去除图案化的掩膜层。本申请能够灵活调节器件的阈值电压，无需额外复杂工艺，即可实现对不同类型器件的阈值电压的协同优化，改善阈值电压随沟道尺寸变化的波动趋势。

天眼查资料显示，荣芯半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41452.2292万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（宁波）有限公司共对外投资了6家企业，财产线索方面有商标信息15条，专利信息69条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示投资宁波导体荣芯工艺专利图案化有源区掩膜层衬底

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