北方集成电路创新中心申请堆叠电容及其制备方法与半导体器件专利_微电子

北方集成电路创新中心申请堆叠电容及其制备方法与半导体器件专利

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2025-12-05 12:08:26

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国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件”的专利，公开号CN121057233A，申请日期为2025年10月。专利摘要显示，本申请提供一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件。制备方法包括提供基层介电层；形成电容主体，电容主体包括多层导电层和多层间隔介电层，多层导电层和多层间隔介电层交替堆叠；各导电层为平直状膜层；形成第一、二台阶孔，各导电层背离基层介电层一侧的表面在台阶孔处均有部分外露；形成顶层介电层；形成第一、二连接孔，第一连接孔包括暴露各奇数层导电层且连通的多个孔部；连通第一连接孔各孔部的连通区域低于顶层介电层的顶面；第二连接孔包括暴露各偶数层导电层且连通的多个孔部；连通第二连接孔各孔部的连通区域暴露各偶数层导电层孔部的连通区域低于顶层介电层的顶面；在第一连接孔中形成第一导电结构，在第二连接孔中形成第二导电结构。

天眼查资料显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息434条，此外企业还拥有行政许可125个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示创新中心导电投资电容孔各集成电路专利孔部电层介电层导电层

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