长江存储申请存储器器件、形成方法和存储系统专利，能在降低工艺难度的同时降低电容出现弯曲的概率
创始人
2025-12-05 12:08:15
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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“存储器器件、形成方法和存储系统”的专利，公开号CN 121057193 A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，本公开提供了一种存储器器件、形成方法和存储系统，涉及半导体技术领域。其中，存储器器件包括第一半导体结构，第一半导体结构包括：堆叠结构，包括沿第一方向交替堆叠的至少两层第一绝缘层和至少两层第二绝缘层；电容结构，贯穿所述堆叠结构；晶体管，与所述电容结构连接。通过本公开的技术方案，一方面，能够在降低工艺难度的同时，降低电容出现弯曲的概率，另一方面，能够增加电容结构的总高度，进而有利于增加电容容量，从而提高读取存储单元的感测容限。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1438次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。
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来源：市场资讯
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