镓创半导体申请基于双腔气氛调控的低缺陷氧化镓单晶提拉生长装备及方法专利，显著降低运行成本_微电子

镓创半导体申请基于双腔气氛调控的低缺陷氧化镓单晶提拉生长装备及方法专利，显著降低运行成本

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2025-12-04 09:11:01

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国家知识产权局信息显示，北京镓创半导体装备有限公司申请一项名为“一种基于双腔气氛调控的低缺陷氧化镓单晶提拉生长装备及方法”的专利，公开号CN121046929A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本申请涉及半导体材料生长技术领域，旨在解决现有技术中因单一气氛共享导致的加热元件寿命减损以及晶体缺陷较多质量难以保障，单晶生产成本高但生产效率低的技术问题。本申请公开的单晶生长装置，其特征在于，包括炉体、第一腔室、第二腔室、加热组件、生长组件、气氛隔离与热传导组件、气氛管理系统以及中央控制系统；所述气氛隔离与热传导组件用于炉体分隔为气密隔离的第一腔室和第二腔室并且高效传热。通过采用上述方案，本申请可实现气氛结构分离和组合式坩埚设计，在保证晶体高质量、高纯净度的同时，有效延长加热元件寿命，显著降低运行成本。

天眼查资料显示，北京镓创半导体装备有限公司，成立于2023年，位于北京市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，北京镓创半导体装备有限公司专利信息1条，此外企业还拥有行政许可1个。

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来源：市场资讯

成本氧化提拉调控气氛镓创单晶导体运行专利氧化镓炉体组件

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