星辰技术申请电容器结构及其制造方法、半导体器件及其制造方法专利，提供了包含基底和电容叠层的电容器结构_微电子

星辰技术申请电容器结构及其制造方法、半导体器件及其制造方法专利，提供了包含基底和电容叠层的电容器结构

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2025-12-03 16:08:42

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国家知识产权局信息显示，湖北星辰技术有限公司申请一项名为“电容器结构及其制造方法、半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121057231A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本公开提供了一种电容器结构及其制造方法、半导体器件及其制造方法，所述电容器结构包括基底和电容叠层；其中，基底包括沿第一方向交替层叠的第一支撑层和第二支撑层；沟槽从基底的一表面延伸到基底内部，沟槽包括沿第一方向延伸的沟槽主体、以及连通沟槽主体且沿第一方向间隔设置的多个沟槽分支，沟槽分支位于第一支撑层中；电容叠层位于沟槽主体和沟槽分支内，电容叠层包括交替层叠的至少两个电极层和至少一个电容介质层。

天眼查资料显示，湖北星辰技术有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本3785.7171万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北星辰技术有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目69次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息110条，此外企业还拥有行政许可28个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造方法显示投资沟槽电容器包括结构专利叠层电容

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