黄山芯微电子申请恒流二极管芯片终端结构专利，显著提升芯片击穿电压与可靠性_微电子

黄山芯微电子申请恒流二极管芯片终端结构专利，显著提升芯片击穿电压与可靠性

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2026-04-11 21:34:10

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国家知识产权局信息显示，黄山芯微电子股份有限公司申请一项名为“一种恒流二极管芯片终端结构、芯片及其制作方法”的专利，公开号CN121843142A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种恒流二极管芯片终端结构、芯片及其制作方法，属于半导体功率器件技术领域。该终端结构位于N‑硅外延层边缘，包括元胞‑终端过渡区和终端区。过渡区设有P区及其内的P+区、N+区，以及位于表面钝化氧化层上的第一多晶硅层，并通过正面金属连接。终端区设有与过渡区相连的P区及其内的P+区，以及更厚的场氧化层；其正面金属通过接触孔与P+区连接，且该金属与过渡区金属相连。本发明还公开了包含此终端结构的恒流二极管芯片及其制作方法。该方案通过优化的过渡区设计与可选终端场板，结合精确可控的工艺参数，实现了电场平滑过渡与有效调制，显著提升了芯片的击穿电压与可靠性。

天眼查资料显示，黄山芯微电子股份有限公司，成立于1998年，位于黄山市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5348.5万人民币。通过天眼查大数据分析，黄山芯微电子股份有限公司参与招投标项目29次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息73条，此外企业还拥有行政许可25个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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