真芯半导体取得先通孔双镶嵌制作方法专利
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2026-04-10 22:16:31
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国家知识产权局信息显示，真芯（北京）半导体有限责任公司取得一项名为“一种先通孔双镶嵌的制作方法”的专利，授权公告号CN114823491B，申请日期为2021年1月。

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