芯朋微获得发明专利授权：“半导体结构及其形成方法”
创始人
2026-09-13 10:59:45
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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯朋微（688508）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其形成方法”，专利申请号为CN202310114673.9，授权日为2026年9月4日。
专利摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有第一沟槽和第二沟槽；在第一沟槽的上部侧壁表面形成第一栅氧介质层以及第一初始栅电极，以及在所述第二沟槽的上部侧壁表面形成第二栅氧介质层以及第二栅电极，并去除所述第一初始栅电极的一部分，以及去除围绕被去除部分第一初始栅电极的第一栅氧介质层，以暴露出所述第一沟槽的上部侧壁表面的上半部分；在所述第一沟槽内填充栅电极材料，以形成第一栅电极。本发明可以降低源极接触孔的需求数量，有效克服半导体器件的尺寸限制，降低生产成本。
今年以来芯朋微新获得专利授权11个，较去年同期增加了450%。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1.41亿元，同比增12.78%。
通过天眼查大数据分析，无锡芯朋微电子股份有限公司共对外投资了15家企业，参与招投标项目8次；财产线索方面有商标信息81条，专利信息112条，著作权信息4条；此外企业还拥有行政许可14个。
数据来源：天眼查APP
以上内容为证券之星据公开信息整理，不构成投资建议。
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