铠侠申请半导体装置及半导体装置的制造方法专利，能够抑制堆积于衬底的芯片积层体的变形
创始人
2026-09-04 08:51:53
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置及半导体装置的制造方法”的专利，公开号CN122699313A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，能够抑制堆积于衬底的芯片积层体的变形。一实施方式的半导体装置具备：第1积层体，设置在衬底上，将多个第1半导体芯片向垂直于积层方向的方向偏移而积层；及第2积层体，设置在所述衬底上，将多个第2半导体芯片积层于所述积层方向；且包含所述多个第2半导体芯片中的任一第2半导体芯片的上表面、与所述多个第1半导体芯片中的任一第1半导体芯片的下表面相接的情况。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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