国家知识产权局信息显示,华虹半导体(无锡)有限公司申请一项名为“CMOS图像传感器制造方法”的专利,公开号CN122679715A,申请日期为2026年6月。
专利摘要显示,本发明公开了一种CMOS图像传感器制造方法,半导体结构包括衬底、栅极及侧墙,所述衬底包括像素区及逻辑区,所述像素区及所述逻辑区均形成有间隔排列的栅极及位于各栅极两侧的侧墙,且相邻的侧墙之间具有间隔;于半导体结构的表面形成氧化层,并于所述氧化层的表面形成氮化层,所述氮化层填充同一像素单元的相邻晶体管的栅极之间的相邻的所述侧墙之间的间隔;刻蚀形成于去除形成于同一像素单元的各晶体管的栅极之间的所述间隔之外的氮化层,仅保留形成于同一像素单元的各晶体管的栅极之间的所述间隔内的氮化层;然后于所述像素区进行离子注入。本发明的CMOS图像传感器制造方法,能兼容更小逻辑电路工艺并且制得的像素单元不易漏电。
天眼查资料显示,华虹半导体(无锡)有限公司,成立于2017年,位于无锡市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体(无锡)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目2951次,专利信息2143条,此外企业还拥有行政许可119个。
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