普冉半导体申请三维集成存储装置及数据纠错处理方法专利，降低片上缓存器资源的占用_微电子

普冉半导体申请三维集成存储装置及数据纠错处理方法专利，降低片上缓存器资源的占用

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2026-08-22 12:54:28

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国家知识产权局信息显示，普冉半导体（上海）股份有限公司申请一项名为“三维集成存储装置及数据纠错处理方法”的专利，公开号CN122619080A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本申请提出了一种三维集成存储装置及数据纠错处理方法，涉及半导体技术领域。该装置包括：第一晶圆，第一晶圆集成有或非闪存单元和控制单元，或非闪存单元用于存储校验矩阵，控制单元包括纠错控制器和缓存器；第二晶圆，第二晶圆集成有与非闪存单元。其中，第一晶圆和第二晶圆通过键合界面垂直堆叠且电性连接。纠错控制器被配置为：对控制单元通过键合界面从与非闪存单元读入缓存器的原始数据进行检错；若检测到错误，则从或非闪存单元读取校验矩阵，并利用所读取的校验矩阵对原始数据进行纠错，得到纠错后数据。该技术方案能够在确保纠错能力的前提下，简单高效地实现校验矩阵的可配置与可升级，同时降低片上缓存器资源的占用。

天眼查资料显示，普冉半导体（上海）股份有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本14804.9102万人民币。通过天眼查大数据分析，普冉半导体（上海）股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息226条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业三维投资单元半导体纠错普冉集成缓存片上非闪存缓存器晶圆

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