积塔半导体申请三维存储器及其制备方法专利，能够降低了三维存储器制备过程中的缺陷率_微电子

积塔半导体申请三维存储器及其制备方法专利，能够降低了三维存储器制备过程中的缺陷率

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2026-08-15 08:36:05

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国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“三维存储器及其制备方法”的专利，公开号CN122579623A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明涉及一种三维存储器及其制备方法。所述三维存储器的制造方法包括如下步骤：形成基底，基底包括衬底、底层介质层以及第一接触结构；形成中间介质层于底层介质层上，中间介质层包括间隔排布的多个隔离柱以及位于相邻的隔离柱之间且暴露第一接触结构的存储槽；形成存储结构于基底上，存储结构包括覆盖存储槽的内壁和隔离柱的表面的下电极层、覆盖下电极层的存储层以及覆盖存储层的上电极层，下电极层包括至少覆盖存储槽的底面且与第一接触结构直接接触电连接的下电极接触层以及覆盖于下电极接触层表面的下电极主体层。本发明使得有效存储面积增大，并能够降低了三维存储器制备过程中的缺陷率。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1707499.4119万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2120次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1420条，此外企业还拥有行政许可206个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法三维电极投资降低存储器导体包括专利电极层三维存储器介质层存储槽隔离柱

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