长江存储申请半导体结构及其制备方法专利，提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法、存储器和存储系统_微电子

长江存储申请半导体结构及其制备方法专利，提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法、存储器和存储系统

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2026-07-23 05:10:36

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统”的专利，公开号CN122438338A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本申请实施方式提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法、存储器和存储系统，其中，半导体结构包括堆叠结构和沟道结构，沟道结构沿第一方向贯穿堆叠结构，并包括第一绝缘层、第二绝缘层和沟道层；第二绝缘层沿第一方向延伸；第一绝缘层位于第二绝缘层沿与第一方向相交方向上的侧部、以及位于第二绝缘层在第一方向的一侧；沟道层位于第一绝缘层沿与第一方向相交方向上背离第二绝缘层的侧部、以及位于第一绝缘层在第一方向背离第二绝缘层的一侧；第一绝缘层的氧的摩尔百分比小于第二绝缘层的氧的摩尔百分比。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1454次，财产线索方面有商标信息1026条，专利信息6163条，此外企业还拥有行政许可1009个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示投资方向存储导体绝缘层结构专利半导体沟道层存储器

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