宁波施捷电子申请半导体芯片及其制备方法专利，显著降低半导体芯片与散热器件之间发生界面脆化等问题的风险_微电子

宁波施捷电子申请半导体芯片及其制备方法专利，显著降低半导体芯片与散热器件之间发生界面脆化等问题的风险

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2026-07-16 00:52:29

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国家知识产权局信息显示，宁波施捷电子有限公司申请一项名为“一种半导体芯片及其制备方法、芯片封装结构”的专利，公开号CN122396342A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体芯片及其制备方法、芯片封装结构，半导体芯片包括芯片本体以及设置于芯片本体的背面的粘附过渡层，半导体芯片还包括金属化结构层，金属化结构层设置于粘附过渡层背离芯片本体的一侧表面；金属化结构层包括银层和金层，至少部分银层形成于粘附过渡层背离芯片本体的一侧表面，至少部分金层形成于银层背离芯片本体的一侧表面，金属化结构层中的银层用于在半导体芯片与散热器件通过铟基热界面材料键合的过程中抑制Au-In金属间相的连续形成。应用本申请可对金与铟的反应起到抑制调控作用，能够抑制Au-In金属间相的连续形成，显著降低半导体芯片与散热器件之间发生界面脆化、热阻升高、分层失效等问题的风险。

天眼查资料显示，宁波施捷电子有限公司，成立于2019年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1092.849万人民币。通过天眼查大数据分析，宁波施捷电子有限公司参与招投标项目17次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息69条，此外企业还拥有行政许可14个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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