爱思开海力士申请包括模制底部填充结构的半导体封装专利，填充封装基板与半导体芯片之间的空间
创始人
2026-04-02 19:41:58
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“包括模制底部填充结构的半导体封装”的专利，公开号CN121772819A，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本申请涉及包括模制底部填充结构的半导体封装。一种半导体封装包括：封装基板，其包括主体层和设置在主体层上的第一绝缘层；第一半导体芯片和第二半导体芯片，其安装在封装基板上；以及模制层，其填充封装基板与第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的空间，并且围绕第一半导体芯片和第二半导体芯片，其中，主体层包括与第一半导体芯片垂直交叠的第一芯片交叠区域、与第二半导体芯片垂直交叠的第二芯片交叠区域以及位于第一芯片交叠区域和第二芯片交叠区域之间的中间区域，并且其中，第一绝缘层包括暴露中间区域的第一开口、第一芯片交叠区域的抵接中间区域的边缘区段和第二芯片交叠区域的抵接中间区域的边缘区段。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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